时间：2025/7/9 3:10:27
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HMK105B7681MVHFE是一款高性能的功率MOSFET芯片，专为高效率、高频率开关应用设计。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提升系统的整体性能。其封装形式紧凑，适合空间受限的应用场合，同时具备良好的散热性能。
类型：功率MOSFET
极性：N-Channel
耐压值：76V
连续漏极电流：50A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ
栅极电荷：42nC
总功耗：30W
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-263
HMK105B7681MVHFE的主要特性包括低导通电阻和栅极电荷，这使得它在高频开关应用中表现出色，能有效降低开关损耗。
此外，该器件具有优异的热稳定性和鲁棒性，能够在极端温度条件下可靠运行。
其紧凑的封装设计也使其成为需要高功率密度解决方案的理想选择。
由于采用了先进的封装技术，该芯片具备出色的电气隔离能力和抗干扰性能。
此外，它的快速开关速度有助于减少电磁干扰（EMI），并提高系统效率。
HMK105B7681MVHFE广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、太阳能逆变器以及电动车中的电力管理系统等场景。
在消费电子领域，它可以用于笔记本适配器、LED驱动器和其他需要高效功率转换的设备。
工业领域中，这款芯片适用于可编程逻辑控制器（PLC）、工业自动化设备和不间断电源（UPS）。
在汽车行业中，HMK105B7681MVHFE可用于电动车的动力控制单元（DCU）和车载充电器等关键部件。
HMK105B7681MVFHE, IRF7681, FDP5500
