时间：2025/5/10 14:43:43
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FSTD16211是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。这款MOSFET主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高频开关应用中表现出色，同时具有较高的电流处理能力和良好的热性能。
最大漏源电压：60V
最大漏极电流：14A
导通电阻：17mΩ
栅极电荷：19nC
输入电容：1320pF
总功耗：2.8W
工作温度范围：-55℃至150℃
FSTD16211具备低导通电阻的特性，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
其栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，适合高频应用。
该器件还具有出色的热稳定性和抗雪崩能力，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。
此外，其小型化的TO-252封装有助于节省PCB空间，适合紧凑型设计需求。
FSTD16211广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载开关和保护电路中的开关元件。
5. 工业控制设备中的功率切换模块。
FDS6680, IRFZ44N, STP16NF06L
