型号：FSS250
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500 V
　　最大漏极电流（ID）：25 A（@TC=25°C）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：100 A
　　最大栅源电压（VGS）：±30 V
　　导通电阻RDS(on)：max 75 mΩ @ VGS = 10 V, ID = 12.5 A
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：约 2060 pF @ VDS = 25 V
　　输出电容（Coss）：约 190 pF @ VDS = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：约 58 ns
　　最大功耗（PD）：200 W（TC = 25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

FSS250的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），典型值仅为75毫欧姆，在VGS=10V且ID=12.5A的工作条件下仍能保持较低的导通损耗。这一特性显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率，尤其适用于大电流应用场景。低RDS(on)还减少了发热，有助于简化散热设计，提升系统的长期运行可靠性。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。FSS250具有较低的栅极电荷（Qg）和输入/输出电容，使得其在高频开关应用中表现出快速的开关响应能力。这意味着它可以在较高的开关频率下运行而不会引入过多的开关损耗，从而支持更紧凑的磁性元件设计，减小电源体积。此外，其反向恢复时间较短，有助于减少体二极管在续流过程中的能量损耗，进一步提升转换效率。
　　FSS250具备良好的热稳定性和高达200W的最大功耗能力（在理想散热条件下），使其能够承受较大的持续功率负载。TO-220封装提供了优良的热传导路径，可通过外接散热片有效将热量传导至环境，确保器件在高负载下仍能维持安全的工作温度。
　　该器件还具备较强的抗雪崩能力，能够在遭遇电压瞬变或感性负载突变时吸收一定的能量而不发生永久性损坏。这一特性增强了其在工业环境或恶劣电磁干扰条件下的鲁棒性，提升了整个系统的安全性与耐用性。综合来看，FSS250凭借其低导通损耗、高开关速度、良好热性能和强健的可靠性，成为中高压功率转换应用中的理想选择。

FSS250广泛应用于多种中高功率电子系统中，尤其是在需要高效能、高可靠性的开关电源设计中表现突出。典型应用包括离线式AC-DC开关电源，例如适配器、充电器和工业电源模块，其中FSS250作为主开关管用于反激或正激拓扑结构，实现高效的能量转换。其500V的耐压等级正好适用于通用输入电压范围（85–265V AC）下的整流后母线电压，具备足够的安全裕度。
　　在DC-DC转换器中，FSS250可用于升压（Boost）、降压（Buck）或半桥/全桥拓扑中，特别是在高功率密度设计中发挥其低导通电阻和快速开关的优势。此外，在电机驱动系统中，该器件可用于H桥电路中的高端或低端开关，控制直流电机或步进电机的运行，适用于电动工具、家用电器和小型工业设备。
　　在LED照明驱动电源中，FSS250也常被用作主控开关器件，支持恒流输出和高效率调光功能。其稳定的电气性能和良好的热管理能力有助于延长灯具寿命并提高光效一致性。
　　此外，FSS250还可用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、焊接设备和感应加热装置等电力电子系统中，作为核心功率开关元件。这些应用通常要求器件具备高耐压、大电流处理能力和长期运行稳定性，而FSS250恰好满足这些严苛条件。因此，无论是在消费类、工业类还是新能源领域，FSS250都是一种成熟且值得信赖的功率MOSFET解决方案。

STP25NM50FD
　　IRFP460LC
　　KF250A50D