时间:2025/12/28 10:19:50
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FSS212-TL-E是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装肖特基势垒二极管,采用SOD-123封装。该器件专为高效、低电压损耗的整流应用设计,广泛用于消费类电子、电源管理电路和信号处理系统中。其结构基于肖特基势垒技术,具备较低的正向导通压降(VF)和快速开关特性,适用于高频工作环境。FSS212-TL-E在小型化设计方面表现优异,适合高密度PCB布局,同时满足无铅和RoHS环保标准。该器件通常用于直流-直流转换器、反向极性保护、续流二极管以及电池供电设备中的功率管理模块。由于其出色的热稳定性和可靠性,FSS212-TL-E也被应用于工业控制、通信设备和便携式电子产品中。该型号支持卷带包装,便于自动化贴片生产,提升了制造效率。
产品类型:肖特基势垒二极管
封装/外壳:SOD-123
是否无铅:是
是否符合RoHS:是
安装类型:表面贴装
最大重复反向电压(VRRM):20V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):2A
峰值浪涌电流(IFSM):50A
最大正向电压降(VF):450mV @ 1A
最大反向漏电流(IR):0.1μA @ 20V
工作结温范围:-55℃ ~ +125℃
热阻抗(RθJA):200℃/W
反向恢复时间(trr):典型值5ns
FSS212-TL-E的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构,这种金属-半导体接触机制显著降低了正向导通时的电压降,相较于传统的PN结二极管,能够有效减少功率损耗并提升整体系统效率。其最大正向压降仅为450mV(在1A条件下),这意味着在大电流通过时产生的热量更少,有助于简化散热设计,尤其适用于对能效要求较高的便携式设备和紧凑型电源模块。此外,该器件具备极快的开关速度,反向恢复时间(trr)典型值仅为5纳秒,使其非常适合高频开关电源(如DC-DC转换器)和高速整流场合,避免了因反向恢复电荷引起的能量损耗和电磁干扰问题。
FSS212-TL-E的最大重复反向电压为20V,适用于低电压电源系统,例如USB供电设备、锂电池管理系统和嵌入式微控制器供电路径中。其最大平均正向整流电流可达2A,能够满足大多数中等功率应用的需求。器件还具备高达50A的峰值浪涌电流承受能力,增强了在瞬态过载或启动冲击下的可靠性。SOD-123封装体积小巧,仅约2.7mm x 1.6mm,适合空间受限的设计,并且具有良好的机械强度和焊接可靠性。
该二极管的工作结温范围宽达-55℃至+125℃,确保在极端环境温度下仍能稳定运行,适用于工业级应用场景。其热阻抗为200℃/W,在自然对流条件下可有效散发内部功耗产生的热量。反向漏电流极低,在20V反向电压下仅为0.1μA,有助于降低待机功耗,延长电池寿命。FSS212-TL-E符合RoHS指令并采用无铅工艺制造,满足现代电子产品对环保和可持续发展的要求。此外,该器件经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环试验,确保长期使用的稳定性与一致性。
FSS212-TL-E广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流二极管,特别是在低压大电流的DC-DC转换器中发挥关键作用。它也常用于反向电压保护电路,防止电池接反而损坏后续电路,这在手持设备、物联网终端和汽车电子辅助系统中尤为常见。作为续流二极管(Flyback Diode),FSS212-TL-E可用于继电器、电机驱动器或电感负载的瞬态能量释放路径,抑制感应电压尖峰,保护开关元件如MOSFET或晶体管。
在电池充电管理电路中,该器件可用于隔离主电源与备用电池之间的电流路径,实现无缝切换。此外,它还可用于信号解调、检波电路以及高频脉冲整流等模拟应用。由于其小尺寸和表面贴装特性,FSS212-TL-E特别适合智能手机、平板电脑、无线耳机、智能手表等便携式消费电子产品中的空间优化设计。在工业控制领域,该二极管可用于PLC模块、传感器供电单元和通信接口保护电路。其高可靠性和快速响应能力也使其适用于电信基础设施设备和网络路由器中的电源子系统。
RB751S40T1G
PMES212,115
BAT54C-W