FSS210-TL-E 时间：2025/9/21 0:10:20 阅读：16

FSS210-TL-E是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-123FL小型封装。该器件专为高效率、高频开关应用设计，适用于便携式电子设备和空间受限的电路布局。FSS210-TL-E具有低正向电压降和快速开关响应特性，能够有效减少功率损耗并提高系统整体能效。该二极管广泛应用于电源管理电路、DC-DC转换器、逆变器、续流与箝位电路以及极性保护等场景。其小型化封装有助于节省PCB空间，同时支持自动化贴片生产流程，适合大规模电子产品制造。器件符合RoHS环保标准，并具备可靠的热稳定性和长期工作耐久性，可在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流阻断电压（VR）：20V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：2A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A
　　最大正向电压降（VF）：450mV @ 1A（典型值），600mV @ 1A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1mA @ 20V（25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　热阻结到环境（RθJA）：250°C/W
　　热阻结到引脚（RθJP）：125°C/W

特性

FSS210-TL-E的核心特性之一是其低正向导通电压，典型值仅为450mV，在1A电流下可显著降低导通损耗，提升电源转换效率。这一优势在电池供电设备中尤为重要，有助于延长续航时间。该器件采用肖特基势垒结构，利用金属-半导体结实现载流子传输，避免了PN结中常见的少数载流子存储效应，从而具备极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计。这使得FSS210-TL-E非常适合用于高频开关电源（如DC-DC升压或降压转换器）中作为整流或续流二极管，有效抑制因慢速恢复引起的能量损耗和电磁干扰（EMI）。
　　该二极管的SOD-123FL封装尺寸紧凑，仅为2.0mm x 1.3mm x 1.0mm（典型），非常适合高密度PCB布局，满足现代消费类电子产品对小型化和轻薄化的需求。尽管体积小，但其仍能承受高达2A的连续正向电流和50A的峰值浪涌电流，展现出良好的电流处理能力与瞬态耐受性能。器件的工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能可靠运行，适用于汽车电子、工业控制等对温度稳定性要求较高的领域。
　　FSS210-TL-E还具备较低的反向漏电流，在25°C时最大为0.1mA@20V，有助于减少待机功耗。随着温度升高，肖特基二极管的漏电流会增加，因此在高温设计中需注意热管理。该器件无铅且符合RoHS指令，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造趋势。此外，其封装采用模压塑封技术，提供良好的机械强度和湿度防护，增强在复杂环境下的可靠性。

应用

FSS210-TL-E广泛应用于各类需要高效能、小尺寸整流解决方案的电子系统中。常见应用场景包括便携式设备中的DC-DC转换器，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于升压或降压电路中的续流二极管，以提高能量转换效率并延长电池寿命。在电源适配器和充电器中，该器件可用于次级侧整流，尤其是在低电压输出（如5V或更低）场合，其低VF特性优势明显。它也常被用作防止反向电流的极性保护二极管，保护敏感电路免受错误连接造成的损坏。
　　在LED照明驱动电路中，FSS210-TL-E可用作续流路径，确保电流平滑切换，减少闪烁和噪声。此外，在电机驱动、逆变器和太阳能充电控制器等功率电子设备中，该二极管可用于箝位或飞轮二极管功能，吸收电感负载断开时产生的反电动势，保护开关元件（如MOSFET）。由于其快速响应和低损耗特性，也适合用于高频开关电源拓扑结构，如同步整流辅助电路、电压倍增器和AC-DC整流模块。在汽车电子系统中，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助电源单元，满足车规级环境下的稳定运行需求。