LQP15MN1N8B02D 是一款由罗姆(ROHM)公司生产的超小型、低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 USP-6B 封装形式,适合于空间受限的应用场景。LQP15MN1N8B02D 主要用于需要高效率和小尺寸设计的开关电源、负载开关以及 DC-DC 转换器等电路中。
这款 MOSFET 具有出色的电气性能和可靠性,同时其封装支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产。由于其低导通电阻和低栅极电荷特性,能够有效减少传导损耗和开关损耗,从而提高系统整体效率。
型号:LQP15MN1N8B02D
类型:N 沟道 MOSFET
封装:USP-6B
Vds(漏源极电压):30V
Rds(on)(导通电阻):14mΩ(典型值,Vgs=10V)
Ids(连续漏极电流):8A
Qg(总栅极电荷量):7nC(典型值)
Vgs(th)(阈值电压):1.5V(最大值)
f(工作频率范围):支持高频开关
Tj(结温范围):-55℃ 至 +150℃
LQP15MN1N8B02D 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on) 为 14mΩ),有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 小型化封装 USP-6B,适用于对 PCB 空间要求严格的设备。
3. 高 Ids(连续漏极电流达 8A),满足大电流应用需求。
4. 栅极电荷量低(Qg 为 7nC),确保快速开关动作以减少开关损耗。
5. 支持宽范围的工作温度(-55℃ 至 +150℃),适应多种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准,环保且无铅工艺制造。
LQP15MN1N8B02D 广泛应用于以下领域:
1. 手机和平板电脑中的负载开关。
2. 可穿戴设备及便携式电子产品的电源管理模块。
3. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流或主开关。
4. 电池供电设备中的保护电路。
5. 高效 DC-DC 转换器的核心组件。
6. 各种消费类电子产品中的小型化解决方案。
7. 工业控制与汽车电子中的低损耗开关元件。
LQP15MN1N8B02DS, LQP15MN1N8B02DL