FSS207-TL-E 时间：2025/9/20 7:46:27 阅读：6

FSS207-TL-E是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装小信号N沟道MOSFET晶体管，采用SOT-23（SC-59）小型封装。该器件专为高密度、低功耗应用设计，广泛用于便携式电子设备中的开关和放大功能。FSS207-TL-E基于先进的沟槽型场效应技术，具备优异的导通电阻和栅极电荷特性，使其在电池供电系统、逻辑接口驱动以及电源管理电路中表现出色。该MOSFET具有快速开关能力，适用于高频操作环境，并能在较宽的温度范围内稳定工作。其SOT-23封装形式便于自动化贴片生产，适合大规模制造应用。FSS207-TL-E符合RoHS环保标准，属于无铅产品，适用于对环境要求较高的消费类电子产品和工业控制设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：115mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：460mA
　　导通电阻Rds(on)：5.2Ω @ Vgs=10V, Id=100mA
　　导通电阻Rds(on)：6.0Ω @ Vgs=4.5V, Id=100mA
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：12pF @ Vds=10V
　　输出电容（Coss）：6pF @ Vds=10V
　　反向传输电容（Crss）：1pF @ Vds=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：8ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOT-23（SC-59）

特性

FSS207-TL-E采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，这种结构能够有效降低导通电阻并提升单位面积内的电流处理能力。其低Rds(on)特性使得在小电流负载下功耗显著降低，特别适合于需要节能运行的移动设备和嵌入式系统。该器件在Vgs=4.5V时仍能保持较低的导通电阻（6.0Ω），表明其在低电压逻辑控制下也能高效工作，兼容3.3V或更低电压的数字控制系统。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性与可靠性，在高温环境下仍能维持稳定的电气性能。其最大工作结温可达+150°C，确保在恶劣工况下的长期运行安全性。此外，FSS207-TL-E具有较小的栅极电荷（Qg）和输入电容，有助于减少驱动电路的能量损耗，提高整体系统的能效。由于其快速的开关响应时间（开启延迟仅4ns），非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器、LED驱动电路和信号路由切换等场景。
　　器件的SOT-23封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有良好的散热性能和机械强度，支持回流焊工艺，适用于现代高密度表面贴装生产线。同时，该产品通过AEC-Q101车规认证的可能性较高（需查证具体批次），可用于部分汽车电子模块中。FSS207-TL-E还具备优良的抗静电能力（ESD保护），增强了在装配和使用过程中的鲁棒性。总体而言，这款MOSFET以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多低功率模拟与数字开关应用的理想选择。

应用

FSS207-TL-E广泛应用于各类低功率电子系统中，尤其适用于需要高效能、小尺寸解决方案的设计场景。常见应用包括便携式消费电子产品中的电源开关、电池管理系统中的充放电控制、LED背光或指示灯的驱动电路、以及各类传感器模块的信号通断控制。在通信设备中，它可用于射频开关或音频信号路径的选择与隔离。
　　由于其良好的开关特性和低漏电流表现，FSS207-TL-E也常被用作逻辑电平转换器中的主动元件，实现不同电压域之间的信号传递。在微控制器单元（MCU）外围电路中，该器件可用于驱动继电器、蜂鸣器或其他执行机构的小功率负载。此外，在DC-DC升压或降压转换器中作为同步整流开关或高端/低端侧开关使用时，能够有效提升转换效率。
　　在工业控制领域，FSS207-TL-E可用于PLC输入输出模块、远程I/O节点以及现场总线接口电路中的信号调理部分。其小型化封装也使其成为可穿戴设备、智能卡、医疗监测仪器等对空间敏感设备的理想选择。在汽车电子方面，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的电源管理单元或车内照明调光电路。总之，凡是涉及低压、小电流开关控制的应用，FSS207-TL-E均能提供可靠且高效的解决方案。