型号：FSS1500NGT
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：150 V
　　连续漏极电流ID@25°C：48 A
　　连续漏极电流ID@100°C：31 A
　　脉冲漏极电流IDM：192 A
　　栅源电压VGS：±20 V
　　导通电阻RDS(on)@VGS=10V：典型值17 mΩ，最大值22 mΩ
　　导通电阻RDS(on)@VGS=4.5V：典型值25 mΩ，最大值33 mΩ
　　栅极电荷Qg@10V：典型值52 nC
　　输入电容Ciss：典型值2450 pF
　　输出电容Coss：典型值490 pF
　　反向恢复时间trr：典型值43 ns
　　阈值电压VGS(th)：最小值2.1 V，典型值3.0 V，最大值4.0 V
　　功耗PD：200 W
　　工作结温范围TJ：-55 °C 至 +175 °C
　　封装：D2PAK (TO-263)

FSS1500NGT采用了安森美的SuperFET?技术，这是一种基于电荷平衡原理的高压MOSFET制造工艺，能够在不牺牲击穿电压的前提下显著降低导通电阻RDS(on)。这种技术通过在漂移区引入相反极性的掺杂层来实现电场优化分布，从而提升器件的耐压能力和导通性能。由于RDS(on)的降低，器件在传导电流时产生的焦耳热更少，提高了系统的整体能效并减少了散热设计的复杂性。
　　该器件具有非常低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这直接降低了开关过程中的驱动损耗和切换时间，使其非常适合高频开关电源应用。例如，在同步整流或半桥拓扑结构中，快速的开关响应可以有效减少死区时间内的能量损失，同时降低电磁干扰（EMI）。此外，较低的输入电容（Ciss）也意味着控制器所需的驱动电流更小，有利于简化驱动电路设计。
　　FSS1500NGT的体二极管具备较快的反向恢复特性（trr ≈ 43 ns），这对于硬开关拓扑如LLC谐振变换器或有源钳位正激电路尤为重要。快速的反向恢复能力可减少二极管反向恢复期间引起的电压尖峰和额外损耗，避免对主开关造成应力冲击，进而提升系统可靠性和效率。
　　器件采用D2PAK（TO-263）表面贴装封装，具有较大的焊盘接触面积，便于PCB上的热传导。其高达200W的功率耗散能力使得即使在高负载条件下也能维持稳定的温度表现。此外，宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）保证了其在极端环境下的可靠性，适用于工业级和通信基础设施等严苛应用场景。

FSS1500NGT主要用于高性能电源管理系统中，尤其是在需要高效能和高功率密度的设计中表现出色。它常见于服务器和数据中心的多相VRM（电压调节模块）中，作为降压变换器的下管或上管使用，提供低RDS(on)以减少导通损耗，满足高电流输出需求。在这些应用中，多个FSS1500NGT通常并联工作以分担电流，提升系统冗余度和散热能力。
　　该器件也广泛用于工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和电动汽车车载充电机（OBC）中的DC-DC转换阶段。在这些系统中，FSS1500NGT凭借其优异的开关特性和热稳定性，能够支持数百kHz级别的开关频率运行，有助于缩小磁性元件体积，提高功率密度。
　　此外，FSS1500NGT适用于各类隔离型电源拓扑，如正激、反激、推挽及LLC谐振转换器，特别是在次级侧同步整流电路中用作整流开关，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通压降和功耗，提升转换效率。其快速体二极管特性也有助于抑制反向恢复噪声，改善EMI性能。
　　在电信整流器和基站电源中，FSS1500NGT用于48V转12V或更低电压的中间总线转换器（IBC），帮助实现高效率的能量传递。其高可靠性与长寿命特性使其成为通信基础设施中关键电源组件的理想选择。

FDP1500N, FQA16N15, IRF150NPBF, IPB160N15N3