类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：15A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-268（HZIP）

FSS015WNGB具有多项优越的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为0.15Ω，可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。这使得该器件非常适合用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　其次，该MOSFET的漏源电压（VDS）为600V，使其能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换系统。栅源电压容限为±30V，具备较强的抗电压波动能力，确保在各种工作条件下稳定运行。
　　此外，FSS015WNGB采用TO-268封装，具备优异的散热性能，能够在高电流条件下维持较低的结温。该封装形式支持表面贴装工艺，提高PCB布局的灵活性，并有助于实现更紧凑的设计。
　　该器件还具有良好的短路耐受能力，能够在异常工况下提供一定程度的保护。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统的响应速度和能效。
　　最后，FSS015WNGB符合RoHS环保标准，适用于对环境影响有严格要求的应用场景。

FSS015WNGB 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。其高电压能力和低导通电阻使其成为电源供应器、AC-DC适配器和DC-DC转换器的理想选择。特别是在高效率、高频率的开关电源设计中，该MOSFET能够有效降低能量损耗，提高系统稳定性。
　　在工业自动化和电机驱动系统中，FSS015WNGB可用于H桥电路、马达控制器以及负载开关，提供可靠的功率切换能力。同时，其良好的热性能确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，该器件也适用于新能源领域，如太阳能逆变器、储能系统和电动汽车的车载充电器（OBC）。在这些应用中，FSS015WNGB的高电压耐受性和高效能特性有助于提升整体系统的能源利用率和可靠性。
　　在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可作为高侧或低侧开关，用于控制电池充放电过程，确保电池组的安全运行。

FQA16N60C, FCP15N60, STF15N60DM2