时间：2025/12/29 14:22:00
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FSP3304是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件设计用于高电流、高速开关操作，适用于如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等场景。FSP3304采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适合在高温和高功率环境下工作。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：160A（在Tc=25℃）
功耗(Pd)：250W
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-263（D2PAK）
FSP3304采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了极低的导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。在高电流应用中，这种低Rds(on)特性尤为重要，因为它有助于降低功率损耗并减少发热。此外，该器件的高电流容量（160A）使其适用于高功率密度设计，如服务器电源、电动工具和电池保护系统。
FSP3304具有良好的热管理性能，采用TO-263表面贴装封装，能够有效散热，并在高温环境下保持稳定工作。这种封装形式也有助于提高PCB布局的灵活性，便于自动化生产和焊接。
该MOSFET支持±20V的栅源电压，具备较强的栅极保护能力，降低了因电压尖峰导致损坏的风险。其快速开关特性有助于减少开关损耗，提高系统效率，适用于高频开关电源应用。
此外，FSP3304在设计上考虑了可靠性，具有良好的雪崩能量承受能力和抗短路能力，能够在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
FSP3304广泛应用于各种高功率和高效率电源系统中，包括DC-DC转换器、电池管理系统（如电动工具和电动车）、负载开关、电源管理模块以及工业自动化设备。在服务器电源和电信设备中，该器件用于高效能电源转换和稳压系统。此外，FSP3304也适用于需要高电流和低导通损耗的电机控制和电源分配系统。
Si7461DP, IRF1404, FDP3304
