型号：FSP10N65A
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：650V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：10A
　　脉冲漏极电流（IDM）：40A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）@max：0.75Ω @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）典型值：0.65Ω
　　栅极阈值电压（Vth）：3~5V
　　总栅极电荷（Qg）：60nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：280pF
　　反向恢复时间（trr）：55ns
　　最大功耗（PD）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F / TO-220FP

FSP10N65A具备多项优异的电气与热性能特性，使其在高电压功率转换应用中表现卓越。
　　首先，该器件拥有高达650V的漏源击穿电压（VDS），可在高压环境下稳定工作，适用于AC-DC整流后端的主开关电路，如PFC（功率因数校正）级和反激式电源拓扑。其低导通电阻（RDS(on)）典型值仅为0.65Ω，在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗，提高能效，尤其适合对效率要求较高的绿色能源产品。
　　其次，FSP10N65A具有较低的栅极电荷（Qg），典型值为60nC，这意味着驱动电路所需的驱动功率更小，可以使用成本更低的驱动IC，并加快开关速度，从而有效减少开关过程中的交越损耗。同时，其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）均经过优化，分别为1100pF和280pF，有助于减小高频工作时的动态损耗，支持更高频率的PWM调制，缩小外围滤波元件体积，提升功率密度。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，采用高性能硅芯片与铜夹连接工艺，提升了散热效率。其最大功耗可达125W，结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端温度环境中可靠运行。此外，器件具备较强的雪崩耐量，能够承受一定程度的电感负载断开时产生的反向能量冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr=55ns），减少了反向恢复电荷（Qrr），降低了二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰（EMI），特别适用于硬开关拓扑结构。
　　最后，FSP10N65A通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（HVGS）等，确保长期使用的安全性与一致性。其符合RoHS标准，不含铅和有害物质，适用于现代环保型电子产品设计。

FSP10N65A广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在需要高效、高压开关操作的场合。
　　最常见的应用是各类开关电源（SMPS），包括适配器、充电器、PC电源和工业电源模块。在这些系统中，FSP10N65A通常作为主开关管用于反激（Flyback）、正激（Forward）或LLC谐振变换器中，承担能量传递和电压调节的核心功能。其高耐压和低损耗特性有助于实现高效率和高功率密度的设计目标。
　　在功率因数校正（PFC）电路中，FSP10N65A可用于升压型PFC拓扑，帮助改善电网侧的电流波形，提高功率因数，满足IEC 61000-3-2等电磁兼容标准。由于其具备快速开关能力和低Qg，特别适合连续导通模式（CCM）PFC应用。
　　此外，该器件也常用于LED照明驱动电源，特别是大功率户外LED路灯和商业照明系统，提供稳定的恒流输出控制。在电机控制领域，FSP10N65A可用于小型直流无刷电机或步进电机的驱动桥臂，实现精确的速度与转矩控制。
　　其他应用场景还包括太阳能微逆变器、UPS不间断电源、电池充电管理系统（BMS）、家电变频控制器（如空调、洗衣机）以及工业自动化设备中的功率切换模块。得益于其成熟的封装工艺和广泛的市场验证，FSP10N65A已成为许多中高端电源产品的首选MOSFET之一。

FQP10N65C, STP10NK60ZFP, IRFGB40N60K, KSA10N65A, APD10N65E