时间：2025/5/10 18:08:40
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SI4966DY-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，基于 Siliconix 技术。该器件采用 TrenchFET Gen III 工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高频开关应用。它采用了 TO-252 (DPAK) 封装形式，适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。
这款功率 MOSFET 专为提高效率和降低功耗而设计，能够在较宽的电压范围内提供稳定的性能。
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：18A
导通电阻(RDS(on))：12mΩ (典型值，在 VGS=10V 时)
栅极电荷(Qg)：27nC
反向恢复时间(trr)：31ns
工作温度范围(TJ)：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，可满足高频应用需求。
3. 较小的栅极电荷 Qg 和反向恢复时间 trr，优化了动态性能。
4. 宽工作温度范围，适应各种严苛环境。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
6. 表面贴装封装，便于自动化生产和焊接。
7. 内置静电保护功能，提高了器件的可靠性。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器中的功率级开关。
3. >4. 电池管理系统中的负载开关。
5. LED 驱动器中的电流调节开关。
6. 各类高频功率转换应用中的核心元件。
7. 工业自动化控制系统中的信号切换和功率传输。
SI4957DY, SI4975DY, IRF7832, FDP066N06L
