类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：190A
　　最大漏-源极电压（VDS）：600V
　　最大栅-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.082Ω（典型值）
　　功耗（PD）：400W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247
　　栅极电荷（Qg）：200nC
　　输入电容（Ciss）：3300pF

FSMT199N60具有多项显著的性能特点。首先，它的低导通电阻（Rds(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏极电流高达190A，漏-源极电压可达600V，适用于高功率需求的应用。此外，FSMT199N60采用先进的平面工艺技术制造，具备优异的热稳定性，可以在高温度环境下稳定工作。
　　这款MOSFET还具备快速开关能力，栅极电荷（Qg）为200nC，使得其在高频开关电路中表现出较低的开关损耗。同时，输入电容（Ciss）为3300pF，有助于提升其响应速度。此外，FSMT199N60具有较高的栅极-源极电压容限（±30V），增强了其在复杂电磁环境中的稳定性。
　　在封装方面，FSMT199N60使用了TO-247封装形式，这种封装具有良好的散热性能，能够有效将热量从芯片传导出去，从而提高器件的可靠性和使用寿命。此外，该器件的工作温度范围宽达-55°C至+150°C，适应各种恶劣的工作环境。

FSMT199N60广泛应用于多种高功率电子系统中。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器以及电机控制电路。它在工业自动化设备、电力电子变换装置、太阳能逆变器和电动汽车充电系统中也经常被使用。
　　在开关电源中，FSMT199N60可以作为主开关器件，用于高效地转换和调节电能。由于其高耐压和大电流能力，该MOSFET特别适合用于高压输入、大功率输出的电源设计。此外，在电机驱动电路中，FSMT199N60可用于H桥结构中的上下桥臂开关，实现对电机转速和方向的精确控制。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和储能系统中，FSMT199N60也扮演着重要角色。它能够高效地将直流电转换为交流电，并满足高效率、高可靠性的要求。此外，该器件在电动汽车的车载充电系统和电池管理系统中也有广泛应用，为新能源汽车提供稳定可靠的功率开关解决方案。

IXFH190N60P、STW190N60M2、IRFP4668、SiHG190N60EF