FSM25C2 时间：2025/9/7 12:14:41 阅读：6

FSM25C2 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关、马达控制等应用中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压和良好的热性能，能够在高频率下工作，提高系统的整体效率。FSM25C2 采用 TO-252（DPAK）封装，适用于表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　漏源极电压（VDS）：60V
　　栅源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻 RDS(on)：最大 25mΩ @ VGS = 10V
　　导通电阻 RDS(on)：最大 40mΩ @ VGS = 4.5V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：TO-252（DPAK）

特性

FSM25C2 以其优异的导通性能和热管理能力而著称，适用于中高功率应用。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率。在 VGS 为 10V 时，RDS(on) 最大为 25mΩ，而在 4.5V 栅极电压下仍能保持较低的导通电阻（40mΩ），这使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下工作，适用于由微控制器或其他低电压电源驱动的系统。
　　此外，FSM25C2 的最大漏极电流可达 10A，能够支持较大的负载能力。其 TO-252 封装具有良好的热传导性能，有助于将热量有效地传导至 PCB，从而提升器件的稳定性和可靠性。由于其具备高耐压能力（60V），可以用于各种中压应用，如电源适配器、电池充电器、LED 驱动器和马达控制电路。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下提供一定的保护。此外，FSM25C2 的输入电容较小，有助于减少开关损耗，提高高频开关应用中的性能。