FSLM2520-R10J 是由 ON Semiconductor 推出的一款双向 TVS(瞬态抑制二极管)阵列,设计用于保护高速数据线路免受 ESD(静电放电)、雷击和其他瞬态电压的影响。该器件具有低电容特性,非常适合高速信号线的保护应用。
其封装形式为 2.0 x 1.25 mm 的小型 DFN 封装,有助于节省 PCB 空间。此外,它支持 IEC61000-4-2 标准下±25kV(空气放电)和±30kV(接触放电)的 ESD 防护能力。
工作电压:±10V
箝位电压:±27.9V
峰值脉冲电流:18A(tp=8/20μs)
结电容:0.8pF(典型值)
响应时间:≤1ps
最大泄漏电流:1μA(@VRWM=±12V)
ESD 耐受能力:±30kV(接触放电)/ ±25kV(空气放电)
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
FSLM2520-R10J 提供了卓越的 ESD 和浪涌保护性能,同时保持了非常低的电容以确保对高速信号的影响最小化。
1. 双向保护功能使其能够适用于各种差分信号线,例如 USB、HDMI 或 DisplayPort 等接口。
2. 其快速响应时间 (<1ps) 可以有效抑制瞬态电压尖峰,从而保护敏感的下游电路。
3. 超低结电容 (0.8pF 典型值) 对高速数据传输的影响几乎可以忽略不计。
4. 高可靠性设计支持工业级的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃),并且符合 RoHS 标准。
5. 采用小型 DFN 封装,便于在紧凑型设计中使用。
FSLM2520-R10J 广泛应用于需要高速数据传输及高可靠保护的场景,包括但不限于:
- USB 2.0/3.0 接口保护
- HDMI 接口保护
- DisplayPort 接口保护
- RS-485 工业总线保护
- 以太网 PHY 保护
- 汽车电子系统中的 CAN/LIN 总线保护
- 移动设备和消费类电子产品中的 I/O 端口保护
- 医疗设备中的信号线保护
由于其出色的 ESD 和浪涌防护能力,这款 TVS 阵列特别适合在恶劣电磁环境下工作的设备。
FSLM2520-R5J, FSLM2520-R15J