型号：ST083S10PFK0
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：100V
　　最大直流阻断电压（VR）：100V
　　平均整流电流（IF(AV)）：8.3A @ TC=150°C
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：50A
　　正向电压降（VF）：典型值0.72V，最大值0.85V @ IF=8.3A, TJ=125°C
　　反向漏电流（IR）：最大1.0mA @ VR=100V, TJ=125°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：PowerFLAT-2L (2x2)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　热阻（RthJC）：约4.5°C/W
　　产品系列：ST083SxxP

ST083S10PFK0的核心特性之一是其采用的先进肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低正向导通压降，提高整流效率。在典型工作条件下，当通过8.3A电流时，其正向电压仅为0.72V左右，相较于普通快恢复二极管可减少近30%的导通损耗，这对于提升电源系统的整体能效至关重要。同时，由于没有少数载流子的积累效应，该器件具备极快的反向恢复速度，几乎不存在反向恢复电荷（Qrr接近于零），因此在高频开关应用中不会产生明显的开关尖峰和电磁干扰，有助于简化滤波电路设计并提升系统可靠性。
　　另一个关键优势在于其PowerFLAT-2L封装技术。该封装尺寸仅为2mm x 2mm，高度低于1mm，非常适合空间受限的应用场景。底部带有裸露焊盘，能够有效将热量从芯片传导至PCB，实现高效的热管理。测试数据显示，在良好散热设计下，该器件可连续承载8.3A的平均整流电流而不过热，热阻RthJC约为4.5°C/W，表明其具备优秀的散热能力。此外，封装材料采用模压塑封技术，具有较强的机械强度和耐湿性，符合IEC 61249-2-21标准中的低卤素要求，提升了产品在潮湿环境下的长期可靠性。
　　该器件还具备宽泛的工作温度范围，从-55°C到+150°C，使其能够在极端环境下稳定运行，适用于汽车电子等对温度敏感的应用场合。其反向漏电流在高温下仍保持较低水平（最大1mA @ 125°C），避免了因漏电增加而导致的额外功耗上升。此外，高达50A的非重复浪涌电流能力赋予其良好的瞬态过载承受能力，可在启动或负载突变时提供必要的保护。综合来看，ST083S10PFK0在效率、尺寸、热性能和可靠性方面实现了良好平衡，是一款面向高性能电源设计的理想选择。

ST083S10PFK0主要应用于各类需要高效、小体积、高电流整流功能的电源电路中。常见用途包括同步整流型DC-DC变换器中的续流二极管或输出整流元件，尤其适用于笔记本电脑、平板设备、路由器和机顶盒等便携式或嵌入式电源系统。在这些应用中，低正向压降直接转化为更低的功率损耗和更高的转换效率，有助于延长电池续航时间并减少散热需求。
　　此外，该器件也广泛用于电压钳位、反向极性保护和防反接电路中，例如在USB供电接口、电池管理系统（BMS）或车载充电模块中，防止因电源接反而损坏后级电路。由于其快速响应特性，还可作为高频开关电源中的自由轮二极管使用，配合MOSFET进行能量回馈，抑制感性负载关断时产生的高压尖峰。
　　在工业领域，ST083S10PFK0可用于PLC控制器、伺服驱动器和传感器供电单元中，提供稳定可靠的整流功能。其高浪涌电流能力和宽温工作范围也使其适用于部分汽车电子系统，如车身控制模块、LED照明驱动或辅助电源模块，满足AEC-Q101部分认证要求的趋势（具体需查证是否通过完整车规认证）。总之，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的低压大电流整流场景，ST083S10PFK0均是一个极具竞争力的解决方案。

STPS8H100CT
　　MBR835-100CTG
　　SMS83A100D