时间：2025/5/26 12:31:41
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FSD200B是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，能够满足多种功率应用的需求。
该MOSFET的额定电压为200V，适合高压环境下的工作，同时具备良好的稳定性和可靠性。其小型封装设计使其在空间受限的应用中表现出色。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.3A
导通电阻（典型值）：5.6Ω
栅极电荷：17nC
输入电容：480pF
总耗散功率（Tc=25℃）：2.5W
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力：额定电压高达200V，适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻：在特定条件下，导通电阻仅为5.6Ω，有效降低功率损耗。
3. 快速开关性能：小的栅极电荷和输入电容确保了快速的开关速度，减少开关损耗。
4. 高可靠性：经过严格的测试和筛选，能够在恶劣环境下长时间稳定运行。
5. 小型化设计：紧凑的封装形式有助于节省PCB空间，满足现代电子设备对小型化的要求。
1. 开关电源：用于主开关管或同步整流管，提升效率和稳定性。
2. DC-DC转换器：作为功率开关，实现高效的电压转换。
3. 电机驱动：控制电机的启停和转速，提供精确的功率输出。
4. 负载开关：保护电路免受过流、短路等异常情况的影响。
5. 电池管理系统：用于电池充放电控制，确保系统的安全性和可靠性。
FDP019N20,
FQP13N20,
IRF640
