时间：2025/7/1 12:46:49
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FSBF10CH60B 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的高速功率 MOSFET，采用 N 沟道增强型技术。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和逆变器等领域。它具有低导通电阻和快速开关速度的特性，能够显著提高效率并减少能量损耗。
FSBF10CH60B 的设计旨在支持高频率操作，同时提供卓越的热性能和耐用性，使其非常适合要求苛刻的应用环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：49nC
开关时间：开启时间 37ns，关断时间 15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FSBF10CH60B 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 确保了较低的传导损耗，从而提高了系统效率。
2. 高速开关能力使其适合高频应用，可有效降低开关损耗。
3. 强大的雪崩能力增强了器件在过载条件下的可靠性。
4. 小巧的封装形式（如 TO-220 或 DPAK）有助于简化 PCB 布局设计，并节省空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
6. 出色的热稳定性，能够在极端温度条件下正常运行。
FSBF10CH60B 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 工业电机控制和驱动电路。
3. 电信设备中的高效功率管理模块。
4. 太阳能逆变器及其它可再生能源相关产品。
5. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的辅助系统中。
6. 各种消费类电子产品中的负载切换和保护电路。
IRFZ44N
FDP5800
STP16NF50
IXFN20N50T2
