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FSB660A 发布时间 时间:2025/7/17 20:09:54 查看 阅读:8

FSB660A是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)推出的智能功率模块(IPM,Intelligent Power Module),专为交流电机驱动和变频器应用设计。该模块集成了高压栅极驱动电路、保护电路以及低导通电阻的MOSFET开关器件,能够提供高效且可靠的功率转换性能。

参数

类型:智能功率模块(IPM)
  拓扑结构:三相桥式
  最大工作电压:600V
  最大输出电流:10A
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:23引脚双列直插式(DIP)
  输入信号电压范围:3.3V至15V
  内置死区时间:约1.2μs
  短路保护响应时间:<1μs

特性

FSB660A具备多项集成保护功能,包括过流保护(OCP)、欠压锁定保护(UVLO)、过热保护(OTP)和故障信号输出等,确保系统在异常情况下的安全运行。
  其内部采用高可靠性的MOSFET技术,降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。
  此外,该模块支持宽范围的电源电压输入,适应性强,并且具有较强的抗干扰能力,适合复杂电磁环境中的工业应用。
  FSB660A还采用了紧凑的设计结构,减少了PCB空间占用,便于实现小型化电机控制方案。

应用

FSB660A广泛应用于家用电器如空调压缩机、风扇电机驱动,以及工业自动化设备中的伺服电机驱动、变频器、不间断电源(UPS)系统等场合。
  由于其高效的功率处理能力和完善的保护机制,特别适用于需要长时间稳定运行的电机控制系统中。

替代型号

FSB660AS, FSB660AY

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FSB660A参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)250 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换75MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装3-SSOT
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FSB660A-NDFSB660ATR