H5TQ1G83CFR-H9C 时间：2025/9/1 18:17:56 阅读：19

H5TQ1G83CFR-H9C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动DRAM类别，专为低功耗和高性能应用设计。该芯片采用FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array）封装，适用于移动设备、嵌入式系统以及需要高带宽内存的便携式电子产品。

参数

容量：1Gb
　　类型：DRAM
　　封装类型：FBGA
　　电压：1.8V
　　接口：x16
　　频率：166MHz
　　时钟速率：166MHz
　　工作温度：-40°C ~ +85°C

特性

H5TQ1G83CFR-H9C 是一款低功耗移动DRAM芯片，专为便携式设备优化。其主要特性包括低电压操作（1.8V），这有助于降低功耗并延长电池寿命，适合移动设备使用。该芯片支持x16的数据总线宽度，提供较高的数据传输速率，适用于需要快速访问内存的应用场景。
　　此外，该DRAM芯片采用FBGA封装技术，具有良好的热性能和机械稳定性，能够在较高的温度范围（-40°C 至 +85°C）内稳定工作，适合工业级应用环境。其166MHz的时钟频率确保了内存访问的高效性，能够满足嵌入式系统和移动设备对性能的基本需求。
　　这款芯片还具备自动刷新、自刷新、深度掉电模式等节能特性，可以在不同工作模式下灵活调整功耗，从而优化设备的能效。这些功能使其非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他需要高性能和低功耗内存的电子产品中。