时间：2025/5/7 19:18:17
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FSB50450A 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用 SuperSO8 封装形式。该器件主要用于需要高效率和低导通损耗的应用场景。其设计优化了导通电阻（Rds(on)）与开关性能之间的平衡，非常适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等应用领域。
FSB50450A 的额定电压为 50V，并能够在高达 45A 的连续电流下工作，同时具有极低的导通电阻，从而有效降低了功耗并提升了系统效率。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：45A
导通电阻：3.2mΩ
栅极电荷：17nC
输入电容：2180pF
总热阻 (结到环境)：40°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻（3.2mΩ），能够显著降低传导损耗。
2. 高电流承载能力（45A），适用于大功率应用。
3. 快速开关特性，有助于减少开关损耗。
4. 具备出色的热性能，可长时间稳定运行在高温环境中。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 提供全面的静电防护功能，增强可靠性。
7. 小型封装（SuperSO8），节省 PCB 空间。
FSB50450A 广泛应用于各种需要高效功率转换的场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动电路
4. 电池管理及保护系统
5. 工业自动化设备中的负载开关
6. 通信电源模块
7. 电动汽车和混合动力汽车中的功率控制单元
IRF540N, FDP5580L, AO3400A
