时间：2025/5/9 15:44:17
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FSB50250US 是一款基于硅技术制造的 N 沯道功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于需要高效率、低导通电阻和快速开关特性的应用。该器件采用 TO-263 封装形式，具有出色的热性能和电气性能，适用于电源管理、电机驱动、负载开关等多种工业及消费类电子领域。
FSB50250US 的设计目标是提供高电流处理能力和低导通损耗，同时保持良好的开关特性，使其在 DC-DC 转换器、电池管理系统以及各类高效能功率转换电路中表现优异。
型号：FSB50250US
封装：TO-263
Vds(漏源电压)：50V
Rds(on)(导通电阻)：2.5mΩ @ Vgs=10V
Id(连续漏极电流)：250A
功耗：48W
工作温度范围：-55℃ to 175℃
栅极电荷(Qg)：35nC
反向恢复时间(trr)：25ns
FSB50250US 提供了极低的导通电阻 (Rds(on))，这使得它在大电流应用中能够显著降低传导损耗。其高电流承载能力 (Id) 和快速开关特性 (低 Qg 和 trr)，使得此器件非常适合高频功率转换应用。
此外，FSB50250US 还具备优秀的热稳定性，能够在高达 175°C 的结温下可靠运行。由于采用了先进的硅工艺，这款 MOSFET 在动态操作期间表现出较低的开关损耗，并且具有较强的抗雪崩能力，从而增强了系统的整体可靠性。
其 TO-263 封装不仅提供了良好的散热性能，还易于集成到印刷电路板中，简化了 PCB 设计流程。
FSB50250US 主要应用于需要高效功率管理的场合，例如：
- 开关模式电源（SMPS）
- 电机驱动控制
- DC-DC 转换器
- 电池充电和管理系统
- 工业自动化设备中的负载切换
- 大功率 LED 驱动
凭借其高电流承受能力和低导通电阻，这款 MOSFET 特别适合用于要求高性能和高效率的应用环境。
FSB50250UH, FSB50250UL
