时间：2025/4/28 20:58:37
阅读：2
FSB147HNY是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252 (DPAK)封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于多种功率转换应用。其主要特点包括高电流处理能力、低栅极电荷以及出色的雪崩击穿能力，这些特性使得FSB147HNY在开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用中表现出色。
FSB147HNY的工作电压为60V，能够满足大多数低压系统的功率管理需求，并且具备良好的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极阈值电压：2V至4V
总功耗：94W
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-252(DPAK)
1. 低导通电阻(Rds(on))确保了更高的效率和更低的功耗。
2. 高开关速度减少了开关损耗，适合高频应用。
3. 具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
4. 良好的雪崩击穿能力和耐用性增强了器件的可靠性。
5. 小巧的封装尺寸便于PCB布局设计，同时保持了较低的寄生电感。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 工业控制及汽车电子中的功率管理
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP147N
IXFN120N06T2
