时间：2025/12/29 15:07:38
阅读：9
FSAR001BNY是一款由Fuji Electric（富士电机）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高频率的应用场景。该器件采用先进的半导体技术制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，是电源管理、逆变器、DC-DC转换器和电机控制等应用的理想选择。FSAR001BNY采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能和机械强度，适用于各种工业和汽车电子系统。
类型：功率MOSFET
封装类型：TO-220
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.085Ω（最大值）
栅极电荷（Qg）：22nC
工作温度范围：-55°C至150°C
热阻（Rth(j-c)）：1.7°C/W
封装尺寸：TO-220AB
FSAR001BNY是一款高性能功率MOSFET，具有低导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。其高耐压能力（100V）使其适用于各种高电压应用，如DC-DC转换器、电源供应器和电机驱动器。该器件的封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的运行。此外，其低栅极电荷（Qg）使得开关损耗降低，从而提高整体能效。
在可靠性方面，FSAR001BNY具有优异的热稳定性和过载能力，能够在严苛的工业和汽车环境中长期运行。该MOSFET采用先进的制造工艺，提高了抗静电能力和抗浪涌能力，适用于对可靠性要求较高的应用。TO-220封装还提供了良好的机械强度，便于安装和散热片连接，适合多种应用场景。
FSAR001BNY广泛应用于各种电力电子设备，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制电路、逆变器、LED照明驱动器以及工业自动化控制系统。由于其优异的电气特性和高可靠性，该MOSFET也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载逆变器等。
FDMS86180,FDPF085N10A
