时间:2025/12/28 0:35:46
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CBG453215U101T 是一款由村田制作所(Murata Manufacturing Co., Ltd.)生产的多层陶瓷电容器(MLCC),主要用于电子电路中的去耦、滤波和旁路应用。该器件采用高介电常数的陶瓷材料制造,具有高电容密度和良好的温度稳定性,适用于多种工业、消费类电子以及通信设备。其封装尺寸为4532(公制:1812),额定电容为100μF(标称值101表示100×101 = 1000nF = 1μF,但此处可能为特殊编码或存在误解,实际需结合规格书确认),电压等级为6.3V DC。然而,根据标准命名规则,'U'通常表示容量公差(±20%),'101'一般代表100pF × 101 = 1nF,这与大容量电容不符,因此该型号可能存在定制化标识或属于特定系列的非标准编码。建议查阅官方数据手册以确认具体参数。该产品符合RoHS环保要求,采用表面贴装技术(SMT),适合自动化贴片生产流程,在高温、高湿环境下仍能保持稳定性能。
型号:CBG453215U101T
制造商:Murata
封装尺寸:4532 (1812)
电容值:100μF(待确认)
容差:±20%(U)
额定电压:6.3V DC
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
介质材料:X7R 或 B 高介电常数陶瓷(推测)
温度特性:X7R(ΔC/C ≤ ±15% from -55°C to +125°C)
直流偏压特性:随电压升高电容下降明显(典型X7R行为)
ESR(等效串联电阻):低,具体值依频率而定
ESL(等效串联电感):低,适合高频去耦
安装类型:表面贴装(SMD)
端接形式:镍阻挡层 / 锡涂层(Ni-Sn)
无铅:是,符合RoHS标准
CBG453215U101T 属于 Murata 的 CB 系列多层陶瓷电容器,具备高电容值与小型化设计的平衡优势,适用于空间受限但需要较大储能的应用场景。其采用先进的叠层工艺,在4532(1812)尺寸下实现较高的单位体积电容量,提升了PCB上的集成度。该器件使用X7R类高介电常数陶瓷介质,能够在宽温度范围内(-55°C至+125°C)保持相对稳定的电容性能,电容变化率控制在±15%以内,适合对温漂有一定容忍度的工业级应用。由于陶瓷材料本身的低损耗特性,该电容器具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其在中高频段表现出优异的去耦和滤波能力,广泛用于电源管理模块中为IC提供瞬态电流支持。
值得注意的是,X7R材质的MLCC存在明显的直流偏压效应,即随着施加电压接近额定电压,实际有效电容会显著下降,设计时必须参考厂家提供的DC偏压曲线进行降额使用。此外,该器件对机械应力较为敏感,如PCB弯曲或热胀冷缩可能导致陶瓷开裂,因此推荐使用柔性端子结构或在布局上避免应力集中。Murata通过严格的烧结工艺和内部电极设计优化了产品的抗弯强度和可靠性。本产品不含铅,符合国际环保标准,并可通过回流焊工艺实现自动化生产,适用于汽车电子、工业控制、网络通信设备等领域。尽管不具备C0G/NP0级别的温度稳定性,但其性价比高,是中等精度滤波和电源去耦的理想选择。
该器件主要应用于需要中等电容值且对温度稳定性要求不极端的场合。常见用途包括开关电源(SMPS)的输入输出滤波电容,用于平滑电压波动并抑制噪声传导;在DC-DC转换器中作为输出端的储能和去耦元件,提升动态响应性能。此外,它也适用于FPGA、ASIC、微处理器等数字芯片的电源引脚旁路,吸收高频瞬态电流,降低电源轨道上的电压纹波。在工业控制系统中,可用于PLC模块、传感器信号调理电路的滤波环节。虽然其温度特性和电压稳定性不及C0G类产品,但在成本敏感且空间有限的设计中具有明显优势。某些消费类电子产品如高端显示器、路由器、电源适配器等也可能采用此类器件进行电源轨去耦。在汽车电子领域,若满足AEC-Q200可靠性标准,则可用于车身控制模块、信息娱乐系统等非动力总成部分。由于其表面贴装封装,适合高速SMT生产线,有利于提高制造效率和产品一致性。
GRM4532U1E101KA12D