型号：FS70UMH-03
　　制造商：ON Semiconductor (原 Fairchild)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：700 V
　　最大漏极电流（ID）：7 A（TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：1.0 Ω（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 ~ 4.0 V
　　输入电容（Ciss）：800 pF（典型值，VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：150 pF（典型值，VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：35 ns（典型值）
　　最大功耗（PD）：50 W（TC=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220F

FS70UMH-03采用了先进的超级结（Super Junction）结构技术，这种结构通过交替排列的P型和N型柱状区域来实现更高的击穿电压与更低的导通电阻之间的平衡。相较于传统的平面型或沟槽型MOSFET，超级结技术能够在相同芯片面积下显著降低RDS(on)，从而减小导通损耗，尤其适用于中高功率密度的电源设计。该器件的RDS(on)仅为1.0Ω，在700V耐压等级中属于较低水平，有助于提升整体系统效率。其低栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）使得开关速度更快，减少了开关过渡期间的能量损耗，特别适合高频工作的PFC级和SMPS应用。同时，FS70UMH-03具备较低的输出电容（Coss），这不仅降低了关断时的电压应力，也减少了无功能量存储，有利于提高轻载效率。
　　另一个关键特性是其优化的体二极管反向恢复行为。尽管MOSFET的体二极管通常不作为主整流元件使用，但在某些拓扑如LLC或硬开关桥式电路中，体二极管会参与换流过程。FS70UMH-03通过控制掺杂分布和漂移区设计，有效抑制了反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流峰值，避免产生大的电压振铃和EMI噪声，提升了系统的电磁兼容性和可靠性。此外，该器件具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压事件中提供一定的自我保护能力。
　　从热管理角度看，FS70UMH-03采用TO-220F封装，带有绝缘法兰，便于安装散热片而不必额外加装绝缘垫片，简化了热设计流程。其最大功耗可达50W（在理想散热条件下），结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境下的长期稳定运行。器件还符合RoHS环保要求，不含铅和有害物质，支持绿色电子制造趋势。综合来看，FS70UMH-03在性能、可靠性和成本之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计中的优选功率开关器件之一。

FS70UMH-03广泛应用于各类需要高效率、高耐压和高频率操作的电力电子系统中。一个典型的应用场景是在连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）电路中作为升压开关管使用。在这种拓扑中，FS70UMH-03凭借其低RDS(on)和快速开关特性，能够显著降低导通和开关损耗，帮助电源系统达到80 PLUS Titanium或更高能效等级。它也被广泛用于反激式（Flyback）转换器的一次侧开关，尤其是在200W以下的适配器、充电器和机顶盒电源中，其高耐压能力和良好的动态响应确保了系统在宽输入电压范围内的稳定运行。
　　在LLC谐振转换器中，虽然通常采用零电压开通（ZVS）来降低开关损耗，但FS70UMH-03仍因其低输出电容和优异的体二极管特性而被选作主开关器件，特别是在半桥或全桥拓扑中。其低Coss有助于减少谐振腔的能量循环损失，而优化的trr则防止在死区时间内出现严重的反向恢复问题，从而提升系统效率并降低EMI辐射。
　　此外，该器件还适用于LED驱动电源、工业开关电源（Industrial SMPS）、UPS不间断电源以及太阳能微逆变器等场合。在这些应用中，电源往往面临电网波动、温度变化和长时间连续运行的挑战，FS70UMH-03的高可靠性、宽工作温度范围和良好的热稳定性使其成为理想的功率开关选择。同时，由于其封装形式为TO-220F，具备电气隔离功能，因此可以直接固定在接地散热器上，无需额外绝缘处理，大大简化了结构设计和生产装配流程。对于追求小型化、高功率密度和长寿命的现代电源产品而言，FS70UMH-03提供了兼具性能与实用性的解决方案。

FQP70N06, FQA7N80, STP7NK80ZFP