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VCHA075D-100MS6 发布时间 时间:2025/7/18 17:37:46 查看 阅读:10

VCHA075D-100MS6 是一款由 Vishay(威世科技)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽技术,提供了优异的导通性能和快速开关能力,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等工业和消费类应用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):100V
  漏极电流(Id):75A(最大值)
  导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):82nC(典型值)
  封装形式:TO-263(表面贴装)
  工作温度范围:-55°C ~ 175°C

特性

VCHA075D-100MS6 MOSFET具备极低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了效率。
  该器件采用了先进的沟槽技术,使得在高频开关应用中表现出色,具有快速开关速度和低开关损耗。
  其高电流承载能力(Id=75A)和耐压能力(Vds=100V)使其适用于高功率密度的电源设计。
  该MOSFET的封装形式为TO-263,适合表面贴装工艺,有助于提高PCB布局的灵活性和可靠性。
  此外,VCHA075D-100MS6还具有良好的热性能,在高负载条件下仍能保持稳定工作,适用于严苛的工业环境。

应用

该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理模块以及各类工业控制设备中。
  其高性能和高可靠性也使其成为电动汽车(EV)充电系统、太阳能逆变器、服务器电源和通信设备电源等高要求应用中的理想选择。
  在汽车电子领域,VCHA075D-100MS6可用于车载电源转换系统、电池管理系统(BMS)中的开关控制单元。
  由于其快速开关特性,它也常用于高频电源转换器和负载开关电路中,以实现高效能和小型化设计。

替代型号

SiR182DP-T1-GE3, IPB075N10N3GKSA1, FDP100N10

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VCHA075D-100MS6参数

  • 现有数量6,701现货
  • 价格1 : ¥12.24000剪切带(CT)500 : ¥6.28710卷带(TR)
  • 系列VCHA075D
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型-
  • 材料 - 磁芯金属
  • 电感10 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)5.2 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)6.9A
  • 屏蔽无屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)38 毫欧最大
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-55°C ~ 165°C
  • 电感频率 - 测试100 kHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳非标准
  • 供应商器件封装-
  • 大小 / 尺寸0.303" 长 x 0.283" 宽(7.70mm x 7.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.213"(5.40mm)