时间：2025/7/18 17:37:46
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VCHA075D-100MS6 是一款由 Vishay（威世科技）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽技术，提供了优异的导通性能和快速开关能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等工业和消费类应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
漏极电流(Id)：75A（最大值）
导通电阻(Rds(on))：7.5mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：82nC（典型值）
封装形式：TO-263（表面贴装）
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
VCHA075D-100MS6 MOSFET具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了效率。
该器件采用了先进的沟槽技术，使得在高频开关应用中表现出色，具有快速开关速度和低开关损耗。
其高电流承载能力（Id=75A）和耐压能力（Vds=100V）使其适用于高功率密度的电源设计。
该MOSFET的封装形式为TO-263，适合表面贴装工艺，有助于提高PCB布局的灵活性和可靠性。
此外，VCHA075D-100MS6还具有良好的热性能，在高负载条件下仍能保持稳定工作，适用于严苛的工业环境。
该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理模块以及各类工业控制设备中。
其高性能和高可靠性也使其成为电动汽车（EV）充电系统、太阳能逆变器、服务器电源和通信设备电源等高要求应用中的理想选择。
在汽车电子领域，VCHA075D-100MS6可用于车载电源转换系统、电池管理系统（BMS）中的开关控制单元。
由于其快速开关特性，它也常用于高频电源转换器和负载开关电路中，以实现高效能和小型化设计。
SiR182DP-T1-GE3, IPB075N10N3GKSA1, FDP100N10
