VCHA075D-100MS6 是一款由 Vishay(威世科技)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽技术,提供了优异的导通性能和快速开关能力,适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器等工业和消费类应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):100V
漏极电流(Id):75A(最大值)
导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值)
栅极电荷(Qg):82nC(典型值)
封装形式:TO-263(表面贴装)
工作温度范围:-55°C ~ 175°C
VCHA075D-100MS6 MOSFET具备极低的导通电阻(Rds(on)),从而降低了导通损耗,提高了效率。
该器件采用了先进的沟槽技术,使得在高频开关应用中表现出色,具有快速开关速度和低开关损耗。
其高电流承载能力(Id=75A)和耐压能力(Vds=100V)使其适用于高功率密度的电源设计。
该MOSFET的封装形式为TO-263,适合表面贴装工艺,有助于提高PCB布局的灵活性和可靠性。
此外,VCHA075D-100MS6还具有良好的热性能,在高负载条件下仍能保持稳定工作,适用于严苛的工业环境。
该MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理模块以及各类工业控制设备中。
其高性能和高可靠性也使其成为电动汽车(EV)充电系统、太阳能逆变器、服务器电源和通信设备电源等高要求应用中的理想选择。
在汽车电子领域,VCHA075D-100MS6可用于车载电源转换系统、电池管理系统(BMS)中的开关控制单元。
由于其快速开关特性,它也常用于高频电源转换器和负载开关电路中,以实现高效能和小型化设计。
SiR182DP-T1-GE3, IPB075N10N3GKSA1, FDP100N10