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FS6M07652RTCYDTU 发布时间 时间:2025/8/24 20:24:30 查看 阅读:9

FS6M07652RTCYDTU 是一款由富士电机(Fuji Electric)推出的功率MOSFET模块,属于该公司第六代Super J MOSFET产品系列。该模块采用了先进的沟槽栅极和薄晶圆技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高效率的特性,适用于各种高效率电源转换设备。FS6M07652RTCYDTU 采用表面贴装封装(SOP),具有紧凑的外形和良好的散热性能,适用于高频开关应用。

参数

型号: FS6M07652RTCYDTU
  类型: MOSFET模块
  电压等级: 650V
  电流等级: 7A
  导通电阻(Rds(on)): 0.76Ω
  封装形式: SOP
  工作温度范围: -55°C ~ 150°C
  存储温度范围: -55°C ~ 150°C
  最大耗散功率: 125W
  栅极驱动电压: 10V

特性

FS6M07652RTCYDTU 的核心优势在于其高效的能量转换能力和良好的热管理性能。该模块采用了富士电机独有的第六代Super J MOSFET技术,这种技术显著降低了导通电阻和开关损耗,从而提升了整体能效。此外,模块的设计优化了内部结构,减少了寄生电感,从而提高了开关性能和稳定性。FS6M07652RTCYDTU 的封装设计确保了良好的热传导性,使其能够在高负载条件下保持较低的工作温度,延长了器件的使用寿命。
  该模块还具备较高的短路耐受能力,可以在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,这使其非常适合用于需要高可靠性的电源系统中。FS6M07652RTCYDTU 在设计上兼顾了高功率密度和小尺寸,使得它在空间受限的应用中具有显著优势。

应用

FS6M07652RTCYDTU 主要应用于电源转换设备,如DC-DC转换器、AC-DC电源模块、电机驱动器、UPS不间断电源系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的高效率电源部分。由于其优异的高频开关性能和低损耗特性,该模块特别适用于要求高效率和高功率密度的场合,如服务器电源、通信设备电源和工业控制系统的电源模块。
  此外,FS6M07652RTCYDTU 也常用于各种高频开关电源中,如LED驱动电源、智能电表、家用电器电源适配器等。由于其良好的热稳定性和可靠性,该模块还被广泛用于汽车电子系统、电池管理系统和可再生能源系统的功率转换模块中。

替代型号

FS6M07652RTCYDTU的替代型号包括FS6M07652R、FS6M07652RTCY、FS6M07652RTCY-L、FS6M07652RTCYT

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