时间：2025/6/13 18:41:47
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FS55X106K500EHG是一款高性能的场效应晶体管（FET），属于功率半导体器件。该器件主要应用于需要高效率和低损耗的场景，如开关电源、电机驱动器以及各类工业控制设备。
它采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统的整体性能。
型号：FS55X106K500EHG
类型：N-Channel MOSFET
额定电压：650V
额定电流：50A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极电荷：22nC（最大值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247
FS55X106K500EHG具有以下显著特点：
1. 高击穿电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻设计，在高负载条件下能够减少功率损耗。
3. 快速开关能力，有效降低开关过程中的能量损失。
4. 良好的热稳定性，可在极端温度范围内保持稳定性能。
5. 提供优异的鲁棒性以应对恶劣的工作条件。
这些特性使得该MOSFET成为电力电子领域中许多关键应用的理想选择。
FS55X106K500EHG适用于广泛的电力转换和控制场合，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 太阳能逆变器
3. 电动车辆驱动系统
4. 工业自动化与机器人控制
5. 不间断电源（UPS）
6. 电机驱动及变速控制
其卓越的性能使其在高效率和可靠性要求的应用中表现尤为突出。
FS55X106K500EH,
IRFP460,
STP50NF06,
FDP55N65,
IXYS5N65T2
