时间：2025/5/24 19:59:22
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FS43X226K250EGG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的高性能 MOSFET 功率晶体管。该器件采用 N 沟道增强型技术，广泛用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他功率管理应用中。其设计旨在提供低导通电阻和高效率，同时具备出色的热特性和可靠性。
该芯片采用了先进的制造工艺以优化开关性能，并且封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产和提高系统集成度。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：2.5mΩ
栅极电荷：60nC
输入电容：2000pF
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
1. 极低的导通电阻使得功耗显著降低，从而提高了整体系统的效率。
2. 高雪崩能力增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 快速开关速度减少开关损耗，适合高频操作环境。
4. 热增强型封装设计有助于改善散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保与安全使用。
6. 可靠性经过严格测试，在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
FS43X226K250EGG 常见于以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器内作为高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中用作功率输出级。
4. 电池保护系统中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 其他需要高效功率切换的应用场合。
FDP15U20AEH, IRF2807ZPBF, AO6400
