类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：20V
　　栅源电压 Vgs：±8V
　　连续漏极电流 Id：4.8A（@25℃）
　　导通电阻 Rds(on)：35mΩ（@Vgs=4.5V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SC-70（SMT 表贴）
　　功耗（Pd）：1.5W

FS2510BW 具备多项优异的电气和热性能，首先其低导通电阻 Rds(on) 仅为 35mΩ，有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。该特性尤其适用于高电流应用，如电池供电系统和负载开关，有助于延长设备的续航时间。
　　其次，FS2510BW 的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 的栅极电压，适用于多种控制 IC 和微控制器的直接驱动，提升了设计的灵活性。
　　此外，该 MOSFET 采用了先进的沟槽式结构，提升了芯片的电流密度和热稳定性，确保在高负载条件下依然保持良好的性能。其 SC-70 封装形式不仅体积小，而且具有良好的散热性能，非常适合高密度 PCB 布局。
　　最后，FS2510BW 具备较高的可靠性，符合 JEDEC 标准，并通过了工业级温度认证（-55℃ ~ +150℃），可在多种环境条件下稳定运行。

FS2510BW 主要应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。在这些设备中，FS2510BW 可作为负载开关或 DC-DC 转换器中的主开关器件，实现高效的能量转换。
　　此外，该器件也广泛用于电池管理系统（BMS），用于控制电池充放电路径，保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。
　　在工业控制领域，FS2510BW 可用于小型电机驱动、继电器替代电路以及传感器供电控制电路，提供高可靠性和紧凑的设计方案。
　　由于其低导通电阻和良好的热性能，FS2510BW 也适用于 USB PD 电源管理、热插拔控制和负载切换应用。

Si2302DS, AO3400, FDN340P, BSS138K