时间：2025/6/13 18:39:13
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FS21B335K250EIG 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的高压功率 MOSFET。该器件采用 N 沟道增强型技术，专为高效率开关应用设计。它具有低导通电阻和高击穿电压的特性，适用于工业、汽车以及消费类电子设备中的高频开关电源、电机驱动器和负载开关等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-247，能够提供卓越的散热性能，并且其电气参数使其非常适合需要大电流承载能力的应用。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：25A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：95nC
总功耗：260W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 高击穿电压确保了在高压环境下的可靠运行。
2. 低导通电阻减少了传导损耗，提高了整体系统效率。
3. 快速开关速度降低了开关损耗，特别适合高频应用。
4. 极佳的热稳定性使器件能够在恶劣条件下长期工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 封装坚固耐用，具备良好的机械强度和散热性能。
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器控制。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
4. 汽车电子系统中的负载切换与保护。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 各种家用电器中的高效能源转换电路。
IRFP250N, FDP5700, STP25NF80
