FS21B226M100EIG 是一款由 Fairchild(现为 Onsemi)生产的高性能功率 MOSFET。该器件采用 N 沟道增强型设计,适用于高频开关应用和高效能电源管理场景。其卓越的导通电阻性能和快速开关特性使其成为各种工业、通信及消费类电子产品的理想选择。
FS21B226M100EIG 的主要特点是低导通电阻、高效率以及出色的热稳定性,能够在较高的电流密度下工作而不显著增加功耗。
型号:FS21B226M100EIG
类型:N沟道 MOSFET
封装:TO-247-3
Vds(漏源电压):226V
Rds(on)(导通电阻):0.1Ω(典型值,在 Vgs=10V 下)
Id(连续漏极电流):100A
Ptot(总功耗):250W
f(工作频率范围):支持高达 1MHz 的高频应用
结温范围:-55°C 至 +175°C
栅极电荷:38nC(典型值)
反向恢复时间:无(因无内置二极管)
FS21B226M100EIG 具有以下关键特性:
1. 极低的 Rds(on),有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。
2. 高速开关能力,适合高频开关电源、DC-DC 转换器和逆变器等应用。
3. 较高的漏源电压(226V),确保在高压环境下的可靠运行。
4. 大电流处理能力(高达 100A),适用于大功率设备。
5. 出色的热性能,能够有效降低芯片温度,延长使用寿命。
6. 紧凑且坚固的 TO-247-3 封装形式,易于集成到各种电路设计中。
7. 广泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适应恶劣的工作环境。
FS21B226M100EIG 主要应用于以下领域:
1. 高效能 DC-DC 转换器和开关模式电源 (SMPS)。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的电池管理系统 (BMS)。
5. 不间断电源 (UPS) 系统。
6. 高频谐振转换器和无线充电设备。
7. 各种工业自动化设备中的功率调节模块。
FS21B226M120EIG, IRFP260N, STP100N20F5