类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：20V
　　连续漏极电流（Id）：3.5A
　　导通电阻 Rds(on)：75mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻 Rds(on)：105mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：8

MKA35VC22RMF55TP MOSFET 具有多个关键特性，使其在电源管理和高频开关应用中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）是其主要优势之一。在 Vgs=10V 时，Rds(on) 仅为 75mΩ，而在 Vgs=4.5V 时为 105mΩ。这种低导通电阻能够有效降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率，并减少热量产生，从而延长器件的使用寿命。
　　其次，该器件的封装形式为 TSOP，是一种小型化、薄型的表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计。这种封装形式不仅节省空间，还具有良好的热性能，有助于散热，提高器件的稳定性和可靠性。
　　此外，MKA35VC22RMF55TP 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的 Vgs 电压，兼容多种驱动电路设计。这意味着它可以与多种控制器和驱动器配合使用，提高了设计的灵活性。
　　该 MOSFET 还具有良好的热稳定性，能够在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用中的严苛环境。
　　最后，MKA35VC22RMF55TP 的最大连续漏极电流为 3.5A，适用于中等功率的开关应用。同时，其最大漏源电压为 30V，能够满足大多数低压功率转换需求。

MKA35VC22RMF55TP MOSFET 主要应用于需要高效能、小型化设计的电子设备中。例如，它广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块、电池供电设备和便携式电子产品。此外，该器件也常用于汽车电子系统中的功率控制部分，如车载充电器、LED 照明控制系统和电动工具等。在这些应用中，MKA35VC22RMF55TP 提供了可靠的开关性能和优异的热稳定性，有助于提高整体系统的效率和可靠性。

Si2302DS, IRML2803, BSS138K