时间：2025/6/4 2:17:37
阅读：16
FS21B225K500EIG 是一款由 Fairchild（现已被 ON Semiconductor 收购）生产的功率 MOSFET，属于 P 沟道增强型场效应晶体管。该器件采用 TO-263 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于各种电源管理和负载切换应用。
这种 MOSFET 的设计旨在提供高效的电源转换，同时保持较低的功耗和较高的可靠性。其典型应用场景包括负载开关、DC-DC 转换器、电压调节模块以及电池供电设备中的电源管理。
最大漏源电压：-40V
连续漏极电流：-8.7A
栅极电荷：10nC
导通电阻（Rds(on)）：250mΩ
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-263
FS21B225K500EIG 提供了多种优异的性能特点：
1. 低导通电阻 (Rds(on)) 可以显著降低传导损耗，从而提高整体效率。
2. 快速开关能力，适合高频操作环境。
3. 具有出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
4. 内置静电放电 (ESD) 保护功能，增强了器件的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
6. 高度集成的设计减少了外部元件需求，简化了电路设计。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的初级或次级侧开关。
2. 各种 DC-DC 转换器中的同步整流功能。
3. 便携式电子设备中的负载开关控制。
4. 工业自动化设备中的信号隔离与驱动。
5. 电池管理系统中的充放电控制和保护。
6. 汽车电子系统中的电机驱动和电源管理。
FDP780P,
FSP31N10,
IRF9540N,
BSS84
