时间：2025/5/24 20:01:44
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FS18B475K100PBG是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高耐压能力，能够有效提升系统的效率和稳定性。
这款器件为N沟道增强型场效应晶体管，其设计旨在降低功耗并提高可靠性，特别适用于需要高效能和高稳定性的工业及消费类电子产品中。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.09Ω
栅极电荷：80nC
总功耗：150W
工作结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
FS18B475K100PBG具备以下显著特点：
1. 高击穿电压（650V），确保在高压环境下的可靠运行。
2. 极低的导通电阻（0.09Ω），可显著减少导通损耗。
3. 快速开关性能，有助于降低开关损耗。
4. 优化的热性能，即使在高负载条件下也能保持稳定。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 支持宽温度范围，适应各种严苛的工作环境。
FS18B475K100PBG广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关元件。
2. 各种类型的DC-DC转换器，包括降压、升压和反激式拓扑。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. 太阳能逆变器以及其他新能源相关产品。
6. 车载充电器和电动汽车相关的电力电子系统。
IRFP460,
FDP18N65,
STP15NF65,
IXYS-IXFN65N2H3
