FS15S105K6R3PNG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低功耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,具有出色的热性能和高可靠性,适合在高频和高功率的应用场景中使用。
型号:FS15S105K6R3PNG
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds):105V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):6.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷(Qg):49nC(典型值)
开关速度:快速开关
封装形式:TO-247-3
FS15S105K6R3PNG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效降低导通损耗,提升整体效率。
2. 高速开关性能,适用于高频应用环境,减少开关损耗。
3. 强大的电流承载能力,支持高达 15A 的持续漏极电流。
4. 高耐压设计,最大漏源电压为 105V,适合多种工业和汽车级应用。
5. 出色的热性能,确保在高功率运行条件下的稳定性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
7. TO-247-3 封装,提供良好的散热性能和机械稳定性。
FS15S105K6R3PNG 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源 (SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动,用于工业自动化设备和家用电器。
3. 太阳能逆变器,助力可再生能源转换。
4. 电池管理系统 (BMS),用于电动汽车和储能系统。
5. 工业控制中的负载切换和保护电路。
6. 高频功率放大器和其他电力电子设备。
FS15S105K6R3P, IRFZ44N, FDP15N10E