FS15B105K250PNG 是一款由 Fairchild(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用 PDFN5 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,非常适合用于便携式设备、负载开关、DC-DC 转换器以及电池供电应用等场合。
该 MOSFET 的主要优势在于其出色的性能与小型封装的结合,有助于降低整体解决方案的空间占用,并提高效率。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:15A
导通电阻(典型值,Vgs=4.5V):10.5mΩ
导通电阻(最大值,Vgs=4.5V):13mΩ
栅极电荷(典型值):16nC
反向恢复时间:4ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
FS15B105K250PNG 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高开关速度,能够支持高频操作,适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 小型 PDFN5 (SOT883) 封装,节省 PCB 空间,特别适合紧凑型设计。
4. 优异的热性能,确保在高温环境下稳定运行。
5. 提供增强的静电放电(ESD)保护,提高可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子制造需求。
该 MOSFET 主要应用于以下领域:
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器和多相控制器。
3. 电池管理电路。
4. USB 电源切换和保护。
5. 工业控制和消费类电子产品的功率级驱动。
6. 电机驱动和信号切换。
7. LED 驱动器和其他低压应用。
FDMS1100, IPW150N03L5, BSC010N04LSG