时间：2025/4/27 11:51:08
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IRFU214B 是一款由英飞凌（Infineon）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于Power MOSFET系列，专为高频开关应用而设计。该器件采用TO-252封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合于各种电源管理、电机驱动以及电信设备中的功率转换电路。
型号：IRFU214B
类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Vds（漏源极电压）：55V
Rds(on)（导通电阻，典型值@Vgs=10V）：37mΩ
Id（连续漏极电流）：8.6A
Ptot（总功耗）：1.4W
封装：TO-252 (DPAK)
fT（截止频率）：190MHz
Ciss（输入电容）：205pF
Coss（输出电容）：42pF
Vgs(th)（栅源开启电压）：2V~4V
IRFU214B 的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少传导损耗，提高整体效率。此外，该器件具有较高的开关速度，能够满足高频应用需求。它的封装形式紧凑，适合空间受限的设计场景。
该MOSFET的Vds额定值为55V，适用于中等电压范围的应用，例如直流-直流转换器、开关电源和负载切换电路。同时，其较低的栅极电荷使得驱动更加简单且高效，从而降低了系统的复杂性和成本。
由于其出色的热性能和电气性能，IRFU214B在需要高性能和可靠性的应用中表现出色。
IRFU214B 常用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电池充电器
4. 电机控制和驱动
5. 负载开关
6. 通信电源
7. 固态继电器
其高频开关特性和低导通电阻使其非常适合需要高效率和快速响应的应用场合。
IRFZ44N, IRLZ44N
