时间：2025/7/17 19:08:55
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FRF507G是一款由富士通（Fujitsu）公司制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用设计，适用于电源转换器、DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等场合。FRF507G具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，使其在高功率密度和高温环境中也能保持良好的性能。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：45W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220AB
导通电阻（Rds(on)）：最大值45mΩ（在Vgs=10V时）
FRF507G的低导通电阻特性使其在高电流应用中能够减少功率损耗，提高系统效率。该器件的封装形式为TO-220AB，具有良好的热传导性能，能够在高功率操作下保持稳定。此外，FRF507G具备较高的电流承受能力和良好的抗过载能力，适合用于需要高可靠性和高性能的应用场景。
该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，提高了器件的开关速度和效率。同时，其较高的耐压能力使其在高输入电压条件下也能安全工作。FRF507G还具有较低的栅极电荷（Qg），这有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。
FRF507G的热阻（Rth(j-c)）相对较低，确保在高负载条件下仍能维持良好的热稳定性。该器件还具备较强的抗静电能力（ESD），提高了其在实际应用中的可靠性。
FRF507G广泛应用于各种电源管理系统，如AC-DC适配器、DC-DC转换器、负载开关、电机控制器、电池管理系统以及电源管理单元（PMU）。此外，它还适用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中的高效能电源管理模块。
IRF540N, FDP5070BL, FDS5070N
