FQB8P10TM-NL 时间：2025/8/25 1:31:05 阅读：5

FQB8P10TM-NL是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道功率MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关等高效率功率转换系统中。该器件采用先进的工艺技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适合在高频率开关条件下运行。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：8A（最大）
　　导通电阻（Rds(on)）：约15mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8
　　功率耗散（Pd）：3.5W
　　栅极电荷（Qg）：18nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：660pF（典型值）

特性

FQB8P10TM-NL采用先进的Trench沟槽技术，使其具备非常低的导通电阻和优良的开关性能。这种MOSFET具有高耐压能力（100V），能够在中高功率应用中稳定运行。其低Rds(on)特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件的封装形式PowerPAK SO-8具备良好的热性能，能够在高电流条件下有效散热。
　　该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力，提高了在极端工作条件下的可靠性和稳定性。栅极驱动电压范围较宽（可支持4.5V至10V驱动），使其兼容多种驱动电路设计。FQB8P10TM-NL还具有快速开关能力，减少了开关损耗，适用于高频率工作环境。
　　其封装形式为表面贴装型（PowerPAK SO-8），有助于减小PCB面积，提高组装效率。同时，该器件符合RoHS环保标准，适用于各类绿色电子产品设计。