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FR5DB 发布时间 时间:2025/5/29 3:08:23 查看 阅读:4

FR5DB是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其设计旨在提供低导通电阻和高效率,同时具备出色的热性能和可靠性。
  FR5DB的工作电压范围较宽,适合需要高效能与稳定性的电力电子应用领域。此外,由于其封装易于安装和散热管理,因此在工业控制、消费类电子产品以及汽车电子等领域中也具有广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:7A
  导通电阻(典型值):45mΩ
  栅极电荷(典型值):38nC
  输入电容:1090pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

FR5DB的显著特点包括:
  1. 超低导通电阻,可有效减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
  4. 内置反向二极管,支持续流功能。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 强大的热性能表现,能够承受较高的结温,确保长时间稳定运行。

应用

FR5DB适用于多种电力电子应用场景,例如:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
  3. 各种类型的电机驱动电路。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 电池管理系统中的充放电控制。
  6. 汽车电子设备中的电源管理和信号调节。

替代型号

IRFZ44N, FDP5802

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