FR5DB是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。其设计旨在提供低导通电阻和高效率,同时具备出色的热性能和可靠性。
FR5DB的工作电压范围较宽,适合需要高效能与稳定性的电力电子应用领域。此外,由于其封装易于安装和散热管理,因此在工业控制、消费类电子产品以及汽车电子等领域中也具有广泛应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:7A
导通电阻(典型值):45mΩ
栅极电荷(典型值):38nC
输入电容:1090pF
工作温度范围:-55℃至175℃
FR5DB的显著特点包括:
1. 超低导通电阻,可有效减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,有助于降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的耐用性。
4. 内置反向二极管,支持续流功能。
5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
6. 强大的热性能表现,能够承受较高的结温,确保长时间稳定运行。
FR5DB适用于多种电力电子应用场景,例如:
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 各种类型的电机驱动电路。
4. 负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统中的充放电控制。
6. 汽车电子设备中的电源管理和信号调节。
IRFZ44N, FDP5802