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FR3G 发布时间 时间:2025/6/11 11:38:14 查看 阅读:6

FR3G系列是Fairchild(现为ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等场景。该系列器件采用先进的制造工艺,在导通电阻、开关速度和耐压能力等方面表现出色,能够有效降低系统功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:12A
  导通电阻:3.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  输入电容:1490pF
  总热阻(结到环境):45℃/W
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

FR3G系列具备低导通电阻的特点,这有助于减少传导损耗并提升整体效率。同时,其栅极电荷较小,从而实现了快速的开关性能,降低了开关损耗。
  此外,该系列还具有较高的雪崩能量承受能力和良好的热稳定性,能够在恶劣环境下长期可靠运行。
  封装形式通常为TO-220或D2PAK,便于散热设计和电路板布局。

应用

FR3G系列适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、逆变器、电机控制模块以及电池管理系统中的负载切换功能。
  由于其出色的效率表现和可靠性,该系列特别适合需要高能效解决方案的工业设备和消费电子产品。

替代型号

IRFZ44N
  STP12NF06
  FDP5570
  AO3400

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FR3G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)400 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)3A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.3 V @ 3 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)150 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏5 μA @ 400 V
  • 不同?Vr、F 时电容60pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-214AB,SMC
  • 供应商器件封装SMC(DO-214AB)
  • 工作温度 - 结-65°C ~ 150°C