FR257P 时间：2025/8/13 19:13:47 阅读：41

FR257P 是一款常用的功率场效应晶体管（MOSFET），通常用于电源管理、开关电路和功率放大等应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性等特点，适合于高效率和高可靠性的电子系统中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏-源电压（VDS）：75V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤7.5mΩ
　　功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C

特性

FR257P MOSFET采用了先进的沟槽技术，使其在导通电阻和开关性能方面表现优异。其低RDS(on)特性可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的封装设计有助于散热，确保在高功率应用中的稳定运行。FR257P还具有良好的抗雪崩能力和过载保护性能，适用于各种苛刻的工业和汽车电子环境。
　　在封装方面，FR257P通常采用TO-264或类似的高功率封装形式，便于安装在散热器上以提高散热效率。其栅极驱动电压范围较宽，可在标准逻辑电压下工作，适用于PWM控制、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等多种应用场景。由于其高可靠性和耐用性，FR257P广泛应用于电源供应器、电池管理系统（BMS）、电动工具、工业自动化设备以及新能源汽车等领域。