型号：FR24N15D
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：超快恢复二极管
　　最大重复反向电压 VRRM：1500V
　　最大直流阻断电压 VR：1500V
　　平均正向整流电流 IF(AV)：2A（在TA=75°C条件下）
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：60A（单个半正弦波，60Hz）
　　正向电压降 VF：1.55V（典型值），1.7V（最大值），在IF=2A时
　　反向恢复时间 trr：35ns（典型值），50ns（最大值）
　　反向漏电流 IR：2μA（典型值），在VR=1500V、TJ=25°C时；最高可达100μA，在TJ=150°C时
　　工作结温范围 TJ：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220F（通孔安装）
　　热阻结到壳 RθJC：25°C/W
　　极性：单芯片，共阴极配置（标准整流极性）

FR24N15D的核心优势在于其卓越的超快恢复性能，反向恢复时间（trr）典型值仅为35ns，这一特性使其在高频开关应用中表现出色。传统的整流二极管在高频下会产生较大的开关损耗，尤其是在反向恢复过程中，存在明显的反向电流尖峰和较长的拖尾电流，导致功耗上升并可能引起电磁干扰（EMI）。而FR24N15D通过优化PN结结构和载流子寿命控制技术，显著缩短了载流子复合时间，从而实现了极短的反向恢复时间，有效降低了开关过程中的能量损耗。
　　该器件还具备出色的热稳定性和长期可靠性。其采用玻璃钝化工艺对PN结进行保护，防止表面污染和漏电路径的形成，提升了器件在恶劣环境下的耐久性。即使在高温工作条件下（如结温达到150°C），反向漏电流仍保持在较低水平（最大100μA），避免了因漏电增加而导致的热失控风险。此外，高达60A的非重复浪涌电流承受能力使该二极管能够在电网波动、启动冲击或短路故障等瞬态事件中保持稳定运行，无需额外复杂的保护电路即可提供基本的过流耐受能力。
　　FR24N15D的正向导通压降相对较低，在2A电流下典型值为1.55V，最大不超过1.7V，这意味着在正常工作状态下功耗较小，有助于提高电源系统的整体能效。结合TO-220F封装提供的良好散热性能（RθJC=25°C/W），该器件可以在自然对流或加装散热片的情况下长时间稳定运行。同时，TO-220F封装便于手工焊接和自动化装配，适用于多种生产流程。该二极管无铅且符合RoHS指令要求，满足现代电子产品对环保材料的需求。总体而言，FR24N15D凭借其高速恢复、低损耗、高可靠性和易于集成的特点，成为中高压开关电源设计中不可或缺的关键元器件之一。

FR24N15D主要应用于各类需要高效整流和快速开关响应的电力电子系统中。其最典型的应用场景是开关模式电源（SMPS），包括AC-DC适配器、服务器电源、工业电源模块等，在这些系统中作为输出整流二极管或钳位二极管使用，利用其低反向恢复时间和低正向压降来提升转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，特别是在升压（Boost）和反激式（Flyback）拓扑结构中，FR24N15D常用于续流或能量回馈路径，其快速恢复特性可有效抑制电压振铃和EMI噪声，提升系统稳定性。
　　在逆变器系统中，如太阳能光伏逆变器、UPS不间断电源和电机驱动器中，该二极管可用于防止电流倒灌、实现能量回馈或作为缓冲电路的一部分。其1500V的高耐压能力使其特别适用于输入电压较高的场合，例如连接到直流母线的高压侧电路。此外，在电子镇流器和LED驱动电源中，FR24N15D可用于高频整流环节，帮助实现小型化和高光效的设计目标。
　　由于其良好的抗浪涌能力和宽温度工作范围，该器件也适用于工业控制设备、通信电源、医疗仪器等对可靠性要求较高的领域。在一些需要隔离和电压箝位的电路中，它还可作为TVS辅助元件或吸收二极管使用。总之，FR24N15D凭借其高性能参数和稳健的封装设计，广泛服务于从消费电子到工业级设备的多样化应用场景。

MUR260G, ES2D, BYV27E-1500