FR220N 是一款 N 沣道通半导体(Fast Semi)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,广泛应用于电源适配器、充电器、DC-DC 转换器等功率转换领域。它采用 TO-252 (DPAK) 封装,适合表面贴装工艺,具有良好的热性能和电气性能。
FR220N 的最大漏源电压为 200V,连续漏极电流可达 2.3A(在特定条件下),并且具备快速开关能力,能够有效降低开关损耗。
最大漏源电压:200V
连续漏极电流:2.3A
栅极阈值电压:2V~4V
导通电阻:0.8Ω(典型值,当 Vgs=10V 时)
功耗:1.6W
工作温度范围:-55℃~150℃
FR220N 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力:200V 的漏源电压使其适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻:典型值仅为 0.8Ω,在大电流应用中可以减少功耗。
3. 快速开关能力:具备较低的输入电容和输出电荷量,可实现高频开关操作。
4. 增强型结构:只有在栅极施加正电压时才能导通,使用安全可靠。
5. 表面贴装封装:采用 TO-252 (DPAK) 封装,易于自动化生产并提供良好散热性能。
6. 宽工作温度范围:从 -55℃ 到 +150℃,适应各种环境条件。
FR220N 广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场合,具体包括:
1. 开关电源(SMPS):用于 DC-DC 转换器、反激式变换器等电路。
2. 充电器:便携式设备如手机、平板电脑等的快速充电解决方案。
3. LED 驱动:高亮度 LED 照明系统的驱动电路。
4. 电机控制:小型直流电机的启动、停止及调速控制。
5. 电池管理:保护电路和充放电控制器中的关键元件。
IRF740, STP20NF10