类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：200V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：13A
　　脉冲漏极电流（Idm）：52A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻Rds(on) @10V Vgs：0.22Ω
　　导通电阻Rds(on) @4.5V Vgs：0.27Ω
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值3.0V，范围2.0~4.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值680pF @25°C
　　输出电容（Coss）：典型值110pF @25°C
　　反向恢复时间（trr）：典型值38ns
　　最大功耗（Pd）：50W @25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-252 (D-Pak)

FR13N20D采用了先进的Trench MOSFET技术，使其在高压应用中表现出卓越的导通和开关性能。其低导通电阻Rds(on)显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效，尤其在大电流持续工作的条件下优势明显。例如，在200V耐压等级的MOSFET中，0.22Ω的典型Rds(on)值属于较低水平，有助于减少发热并简化散热设计。该器件的栅极电荷（Qg）较低，通常在典型应用条件下仅为数十纳库仑，这使得它能够以较高的频率进行快速开关操作，适用于高频DC-DC变换器或开关电源拓扑结构如反激式、正激式或LLC谐振转换器等。
　　此外，FR13N20D具备良好的热稳定性和长期可靠性。其TO-252封装具有较大的焊盘面积，便于PCB上的热传导，配合适当的散热铜箔设计可有效将芯片热量传递至外部环境，从而延长器件寿命并提升系统安全性。该MOSFET还具备较强的抗雪崩能量能力，意味着在遭遇瞬态过压或电感负载突变时仍能保持不损坏，增强了系统鲁棒性。集成的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr约38ns），可有效降低在桥式或同步整流电路中因二极管反向恢复引起的尖峰电压和电磁干扰问题。
　　从制造角度看，该器件基于安森美成熟的生产工艺，确保了批次间的一致性和高质量。同时，其符合国际环保标准（RoHS指令），不含铅和其他有害物质，适用于出口型产品及对环保要求严格的项目。总体而言，FR13N20D是一款兼顾性能、可靠性和性价比的中功率MOSFET，特别适合需要200V耐压、10A以上电流处理能力的应用场景。

FR13N20D广泛应用于多种电力电子系统中，尤其是在开关电源（SMPS）领域表现突出，常见于AC-DC适配器、离线式电源、充电器以及LED驱动电源中作为主开关管或同步整流管使用。其200V的额定电压足以应对多数通用输入电压范围（85~265V AC）下的整流后直流母线电压，并留有足够安全裕量。在DC-DC转换器中，无论是升压（Boost）、降压（Buck）还是升降压（Buck-Boost）拓扑，该器件都能凭借其低Rds(on)和快速开关特性实现高效能量转换。
　　在电机控制方面，FR13N20D可用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为低端或高端开关元件，提供精确的启停与调速功能。此外，在逆变器、UPS不间断电源以及太阳能微逆系统中，该MOSFET也可承担功率切换任务。由于其封装支持表面贴装工艺，因此非常适合自动化批量生产，广泛用于消费类电子产品主板、工业控制模块和智能家电电源单元中。其快速响应能力和高可靠性也使其适用于各类电子负载、热插拔电路及过流保护装置中作为受控开关使用。

FQP13N20,STP13NK20Z,IRF13N20D