类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：170A（在Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：3.5mΩ（最大值，Vgs=10V时）
　　功耗（Pd）：250W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-263（D2Pak）

FQU9N08采用了先进的Trench沟槽技术，使得其在高电压和高电流环境下仍能保持出色的性能表现。其导通电阻仅为3.5mΩ，这大大降低了在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的效率。
　　该MOSFET具有较高的连续漏极电流能力，达到170A，适用于需要高电流输出的电源应用。此外，其最大漏源电压为80V，栅源电压范围为±20V，这使得该器件在多种电压环境下都能稳定运行。
　　在封装方面，FQU9N08采用的是TO-263（D2Pak）表面贴装封装，具有良好的热性能和机械稳定性，适合在紧凑型电路设计中使用。这种封装形式也方便散热管理，有助于提高器件的可靠性。
　　该器件的工作温度范围非常宽，从-55°C到+175°C，使其能够在极端温度条件下正常工作，适用于工业、汽车和消费类电子等多种应用场景。

FQU9N08广泛应用于各类功率电子设备中，尤其是在电源管理领域。其低导通电阻和高电流能力使其成为开关电源（SMPS）中的理想选择，可以用于DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关等电路。
　　在汽车电子领域，FQU9N08可用于车载电源系统、电机驱动器以及电池管理系统等应用，其宽工作温度范围和高可靠性满足了汽车环境的严苛要求。
　　此外，该MOSFET也适用于工业控制设备、UPS（不间断电源）、逆变器以及LED照明驱动等应用。由于其高效率和低损耗特性，能够有效减少发热，提高系统整体能效。
　　在消费类电子产品中，FQU9N08可用于高性能电源适配器、充电器以及大功率LED驱动电路，为设备提供稳定可靠的功率控制解决方案。

FQA9N08C、FDP9N08、IRF3703、FQU9N08C