类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：100A @ 25°C
　　最大功耗(Pd)：200W
　　导通电阻(Rds(on))：最大 2.7mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）
　　技术：平面沟槽工艺
　　极性：增强型

FQU6692 MOSFET 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，使其在导通电阻和开关速度方面表现出色。其低 Rds(on) 特性有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流容量和热稳定性使其能够在高负载条件下稳定运行。
　　此外，FQU6692 的 TO-263（D2PAK）表面贴装封装具有良好的热管理能力，便于 PCB 散热设计，并支持自动化贴片生产流程。该封装形式也提供了优异的机械强度和电气性能。
　　在开关性能方面，FQU6692 具有较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），这有助于减少开关过程中的能量损耗，提高开关频率，适用于高频电源转换应用。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行，提高系统的可靠性和耐用性。此外，FQU6692 的栅极驱动电压范围较宽（通常为 4.5V 至 20V），可兼容多种驱动电路，包括低电压逻辑控制器。

FQU6692 主要应用于高效率电源系统中，如 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器、电源适配器以及服务器和通信设备的电源模块。此外，它也常用于工业自动化控制、电动工具、UPS（不间断电源）和光伏逆变器等高功率应用场景。
　　由于其优异的导通和开关性能，FQU6692 也广泛用于同步整流拓扑中，以替代传统二极管实现更高的转换效率。在电池管理系统中，它可作为高侧或低侧开关，控制电池充放电路径，防止反向电流流动。
　　在电机控制应用中，FQU6692 可作为 H 桥结构中的开关元件，实现电机正反转、制动和调速功能。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　此外，在服务器和通信设备的电源模块中，FQU6692 通常用于多相供电设计中，以满足高性能处理器对稳定供电的需求。其低导通电阻和高开关频率特性有助于减小功率损耗，提高系统能效。

FQA68N60, FDPF6692, FDMS7680, SiR178DP, FDS4410