时间：2025/5/23 12:19:23
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FQU5N15是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率控制应用。该器件采用了先进的制造工艺，能够在高频率和高效率的应用场景中表现出色。其小封装设计使其非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：5.6A
栅极电荷：24nC
导通电阻：0.35Ω
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-252 (DPAK)
FQU5N15具有较低的导通电阻，能够有效减少功率损耗并提升效率。
该器件支持快速开关，适合高频应用场合。
其具备较高的雪崩击穿能量能力，增强了在异常情况下的可靠性。
FQU5N15采用无铅封装，符合环保要求，并且具备良好的热性能以适应高温操作环境。
此外，它还具有低输入电容和低输出电容，进一步优化了开关性能。
FQU5N15广泛应用于直流电机驱动、开关电源、逆变器、不间断电源(UPS)系统、电池保护电路以及各类工业电子设备中。
由于其出色的热稳定性和电气性能，它也常用于汽车电子领域中的负载切换和保护电路。
在消费类电子产品中，这款MOSFET可用于充电器、适配器等产品，以提供高效的功率转换。
IRF540N
STP55NF06
FDP55N10
